ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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W63AH6NBVADI

製品詳細

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記述: IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

お問い合わせ
ハイライト:
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
1Gbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
HSUL_12
サイクルの時間 - 単語,ページ:
15ns
供給者のデバイスパッケージ:
178-VFBGA (11x11.5)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
Winbondの電子工学
時計の周波数:
1.066 GHz
電圧 - 供給:
1.14V | 1.3V、1.7V | 1.95V
アクセス時間:
5.5 ns
パッケージ/ケース:
178-VFBGA
記憶 の 組織:
64M x 16
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM - モバイルLPDDR3
基本製品番号:
W63AH6
メモリ形式:
DRAM
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
1Gbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
HSUL_12
サイクルの時間 - 単語,ページ:
15ns
供給者のデバイスパッケージ:
178-VFBGA (11x11.5)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
Winbondの電子工学
時計の周波数:
1.066 GHz
電圧 - 供給:
1.14V | 1.3V、1.7V | 1.95V
アクセス時間:
5.5 ns
パッケージ/ケース:
178-VFBGA
記憶 の 組織:
64M x 16
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM - モバイルLPDDR3
基本製品番号:
W63AH6
メモリ形式:
DRAM
W63AH6NBVADI
SDRAM - モバイルLPDDR3メモリIC 1Gbit HSUL_12 1.066 GHz 5.5 ns 178-VFBGA (11x11.5)
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