| カテゴリー: | 集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 | 製品の状況: | アクティブ | マウントタイプ: | 穴を抜ける | パッケージ: | トューブ | シリーズ: | - | DigiKey プログラム可能: | 確認されていない | メモリインターフェース: | パラレル | サイクルの時間 - 単語,ページ: | 120ns | 供給者のデバイスパッケージ: | 24-CDIP | メモリタイプ: | 揮発性 | Mfr: | レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク | メモリサイズ: | 16Kbit | 電圧 - 供給: | 4.5V~5.5V | アクセス時間: | 120 ns | パッケージ/ケース: | 24-CDIP (0.600インチ、15.24mm) | 記憶 の 組織: | 2K × 8 | 動作温度: | -55℃~125℃(TA) | テクノロジー: | SRAM - アシンクロン | 基本製品番号: | 6116SA | メモリ形式: | SRAM | 
| カテゴリー: | 集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 | 
| 製品の状況: | アクティブ | 
| マウントタイプ: | 穴を抜ける | 
| パッケージ: | トューブ | 
| シリーズ: | - | 
| DigiKey プログラム可能: | 確認されていない | 
| メモリインターフェース: | パラレル | 
| サイクルの時間 - 単語,ページ: | 120ns | 
| 供給者のデバイスパッケージ: | 24-CDIP | 
| メモリタイプ: | 揮発性 | 
| Mfr: | レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク | 
| メモリサイズ: | 16Kbit | 
| 電圧 - 供給: | 4.5V~5.5V | 
| アクセス時間: | 120 ns | 
| パッケージ/ケース: | 24-CDIP (0.600インチ、15.24mm) | 
| 記憶 の 組織: | 2K × 8 | 
| 動作温度: | -55℃~125℃(TA) | 
| テクノロジー: | SRAM - アシンクロン | 
| 基本製品番号: | 6116SA | 
| メモリ形式: | SRAM |