製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
100TQFP (14x14) |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
9Mbit |
電圧 - 供給: |
3.135V~3.465V |
アクセス時間: |
8 ns |
パッケージ/ケース: |
100-LQFP |
記憶 の 組織: |
512K × 18 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - 同期、SDR (ZBT) |
基本製品番号: |
71V65903 |
メモリ形式: |
SRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
100TQFP (14x14) |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
9Mbit |
電圧 - 供給: |
3.135V~3.465V |
アクセス時間: |
8 ns |
パッケージ/ケース: |
100-LQFP |
記憶 の 組織: |
512K × 18 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - 同期、SDR (ZBT) |
基本製品番号: |
71V65903 |
メモリ形式: |
SRAM |
