カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
最後の買い物 |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
15ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
28-PDIP |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
256Kbit |
電圧 - 供給: |
4.5V~5.5V |
アクセス時間: |
15 ns |
パッケージ/ケース: |
28DIP (0.300",7.62mm) |
記憶 の 組織: |
32K × 8 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - アシンクロン |
基本製品番号: |
71256SA |
メモリ形式: |
SRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
最後の買い物 |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
15ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
28-PDIP |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
256Kbit |
電圧 - 供給: |
4.5V~5.5V |
アクセス時間: |
15 ns |
パッケージ/ケース: |
28DIP (0.300",7.62mm) |
記憶 の 組織: |
32K × 8 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - アシンクロン |
基本製品番号: |
71256SA |
メモリ形式: |
SRAM |