カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
20ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
48-FBGA (6x10) |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
2.7V~3.6V |
アクセス時間: |
20 ns |
パッケージ/ケース: |
48-TFBGA |
記憶 の 組織: |
512K × 8 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM (不揮発性SRAM) |
基本製品番号: |
CY14B104 |
メモリ形式: |
NVSRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
20ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
48-FBGA (6x10) |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
2.7V~3.6V |
アクセス時間: |
20 ns |
パッケージ/ケース: |
48-TFBGA |
記憶 の 組織: |
512K × 8 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM (不揮発性SRAM) |
基本製品番号: |
CY14B104 |
メモリ形式: |
NVSRAM |