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MT3M3D3D3DS-046 AUT:B

製品詳細

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記述: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA について

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ハイライト:
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
8ギガビット
製品の状況:
最後の買い物
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
自動車,AEC-Q100
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
-
サイクルの時間 - 単語,ページ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
200-WFBGA (10x14.5)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
マイクロン・テクノロジ株式会社。
時計の周波数:
2.133 GHz
電圧 - 供給:
1.1V
パッケージ/ケース:
200-WFBGA
記憶 の 組織:
256M × 32
動作温度:
-40°C | 125°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM -移動式LPDDR4
基本製品番号:
MT53E256
メモリ形式:
DRAM
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
8ギガビット
製品の状況:
最後の買い物
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
自動車,AEC-Q100
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
-
サイクルの時間 - 単語,ページ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
200-WFBGA (10x14.5)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
マイクロン・テクノロジ株式会社。
時計の周波数:
2.133 GHz
電圧 - 供給:
1.1V
パッケージ/ケース:
200-WFBGA
記憶 の 組織:
256M × 32
動作温度:
-40°C | 125°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM -移動式LPDDR4
基本製品番号:
MT53E256
メモリ形式:
DRAM
MT3M3D3D3DS-046 AUT:B
SDRAM - モバイルLPDDR4メモリIC 8Gbit 2.133 GHz 200-WFBGA (10x14.5)
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