カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
10ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
48-CABGA (9x9) |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
3V~3.6V |
アクセス時間: |
10 ns |
パッケージ/ケース: |
48-TFBGA |
記憶 の 組織: |
256K × 16 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - アシンクロン |
基本製品番号: |
71V416L |
メモリ形式: |
SRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
10ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
48-CABGA (9x9) |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
3V~3.6V |
アクセス時間: |
10 ns |
パッケージ/ケース: |
48-TFBGA |
記憶 の 組織: |
256K × 16 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
SRAM - アシンクロン |
基本製品番号: |
71V416L |
メモリ形式: |
SRAM |