ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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W948V6KBHX5E TR

製品詳細

支払及び船積みの言葉

記述: IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA

お問い合わせ
ハイライト:
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
256Mbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
LVCMOS
サイクルの時間 - 単語,ページ:
15ns
供給者のデバイスパッケージ:
60-VFBGA (8x9)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
Winbondの電子工学
時計の周波数:
200 MHz
電圧 - 供給:
1.7V~1.9V
アクセス時間:
5 ns
パッケージ/ケース:
60-TFBGA
記憶 の 組織:
16M x 16
動作温度:
-25°C | 85°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM -移動式LPDDR
基本製品番号:
W948V6
メモリ形式:
DRAM
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
メモリサイズ:
256Mbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
LVCMOS
サイクルの時間 - 単語,ページ:
15ns
供給者のデバイスパッケージ:
60-VFBGA (8x9)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
Winbondの電子工学
時計の周波数:
200 MHz
電圧 - 供給:
1.7V~1.9V
アクセス時間:
5 ns
パッケージ/ケース:
60-TFBGA
記憶 の 組織:
16M x 16
動作温度:
-25°C | 85°C (TC)
テクノロジー:
SDRAM -移動式LPDDR
基本製品番号:
W948V6
メモリ形式:
DRAM
W948V6KBHX5E TR
SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 256Mbit LVCMOS 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)
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