製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
25ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
54-TSOP II |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
2.7V~3.6V |
アクセス時間: |
25 ns |
パッケージ/ケース: |
54-TSOP （0.400"、10.16mmの幅） |
記憶 の 組織: |
256K × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM （不揮発性SRAM） |
基本製品番号: |
CY14B104 |
メモリ形式: |
NVSRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
25ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
54-TSOP II |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
インフィニオン・テクノロジーズ |
メモリサイズ: |
4Mbit |
電圧 - 供給: |
2.7V~3.6V |
アクセス時間: |
25 ns |
パッケージ/ケース: |
54-TSOP （0.400"、10.16mmの幅） |
記憶 の 組織: |
256K × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM （不揮発性SRAM） |
基本製品番号: |
CY14B104 |
メモリ形式: |
NVSRAM |
