カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
120ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
24-EDIP |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート |
メモリサイズ: |
16Kbit |
電圧 - 供給: |
4.75V~5.25V |
アクセス時間: |
120 ns |
パッケージ/ケース: |
24-DIPモジュール(0.600"、15.24mm) |
記憶 の 組織: |
2K × 8 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM (不揮発性SRAM) |
基本製品番号: |
DS1220A |
メモリ形式: |
NVSRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
120ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
24-EDIP |
メモリタイプ: |
不揮発性 |
Mfr: |
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート |
メモリサイズ: |
16Kbit |
電圧 - 供給: |
4.75V~5.25V |
アクセス時間: |
120 ns |
パッケージ/ケース: |
24-DIPモジュール(0.600"、15.24mm) |
記憶 の 組織: |
2K × 8 |
動作温度: |
0°C~70°C (TA) |
テクノロジー: |
NVSRAM (不揮発性SRAM) |
基本製品番号: |
DS1220A |
メモリ形式: |
NVSRAM |