製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
メモリサイズ: |
4Gbit |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
LVSTL |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
200-TFBGA （10x14.5） |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社 |
時計の周波数: |
1.6 GHz |
電圧 - 供給: |
1.06V~1.17V,1.7V~1.95V |
パッケージ/ケース: |
200-TFBGA |
記憶 の 組織: |
256M × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TC) |
テクノロジー: |
SDRAM -移動式LPDDR4 |
基本製品番号: |
IS43LQ16256 |
メモリ形式: |
DRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
メモリサイズ: |
4Gbit |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
LVSTL |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
200-TFBGA （10x14.5） |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社 |
時計の周波数: |
1.6 GHz |
電圧 - 供給: |
1.06V~1.17V,1.7V~1.95V |
パッケージ/ケース: |
200-TFBGA |
記憶 の 組織: |
256M × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TC) |
テクノロジー: |
SDRAM -移動式LPDDR4 |
基本製品番号: |
IS43LQ16256 |
メモリ形式: |
DRAM |
