製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II について
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
メモリサイズ: |
64Mbit |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
15ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
66-TSOPII |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
Winbondの電子工学 |
時計の周波数: |
200 MHz |
電圧 - 供給: |
2.3V | 2.7V |
アクセス時間: |
55 ns |
パッケージ/ケース: |
66-TSSOP （0.400"、10.16mmの幅） |
記憶 の 組織: |
4M × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
SDRAM - DDR |
基本製品番号: |
W9464G6 |
メモリ形式: |
DRAM |
カテゴリー: |
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 |
メモリサイズ: |
64Mbit |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
DigiKey プログラム可能: |
確認されていない |
メモリインターフェース: |
パラレル |
サイクルの時間 - 単語,ページ: |
15ns |
供給者のデバイスパッケージ: |
66-TSOPII |
メモリタイプ: |
揮発性 |
Mfr: |
Winbondの電子工学 |
時計の周波数: |
200 MHz |
電圧 - 供給: |
2.3V | 2.7V |
アクセス時間: |
55 ns |
パッケージ/ケース: |
66-TSSOP （0.400"、10.16mmの幅） |
記憶 の 組織: |
4M × 16 |
動作温度: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
テクノロジー: |
SDRAM - DDR |
基本製品番号: |
W9464G6 |
メモリ形式: |
DRAM |
