| カテゴリー: | 集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 | 製品の状況: | アクティブ | マウントタイプ: | 表面マウント | パッケージ: | テープ&ロール (TR) | シリーズ: | 自動車,AEC-Q100 | DigiKey プログラム可能: | 確認されていない | メモリインターフェース: | パラレル | サイクルの時間 - 単語,ページ: | - | 供給者のデバイスパッケージ: | 63-VFBGA (9x11) | メモリタイプ: | 不揮発性 | Mfr: | マイクロン・テクノロジ株式会社。 | メモリサイズ: | 4Gbit | 電圧 - 供給: | 2.7V~3.6V | パッケージ/ケース: | 63-VFBGA | 記憶 の 組織: | 512M x 8 | 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) | テクノロジー: | FLASH - NAND | 基本製品番号: | MT29F4G08 | メモリ形式: | フラッシュ | 
| カテゴリー: | 集積回路 (IC)
記憶力
記憶力 | 
| 製品の状況: | アクティブ | 
| マウントタイプ: | 表面マウント | 
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) | 
| シリーズ: | 自動車,AEC-Q100 | 
| DigiKey プログラム可能: | 確認されていない | 
| メモリインターフェース: | パラレル | 
| サイクルの時間 - 単語,ページ: | - | 
| 供給者のデバイスパッケージ: | 63-VFBGA (9x11) | 
| メモリタイプ: | 不揮発性 | 
| Mfr: | マイクロン・テクノロジ株式会社。 | 
| メモリサイズ: | 4Gbit | 
| 電圧 - 供給: | 2.7V~3.6V | 
| パッケージ/ケース: | 63-VFBGA | 
| 記憶 の 組織: | 512M x 8 | 
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) | 
| テクノロジー: | FLASH - NAND | 
| 基本製品番号: | MT29F4G08 | 
| メモリ形式: | フラッシュ |